Размер шрифта

A
A

Межстрочный интервал

A
A

Цвет

A
A

Рындин Евгений Адальбертович

+7(863) 436-13-74

Кафедра конструирования электронных средств - Профессор

Д 212.208.23 - Член диссертационного совета

347928, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, корпус Е, лаборатория Е-112.

E-mail:
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Персональная страница:
https://sfedu.ru/person/earyndin
Персональная страница на английском:
https://sfedu.ru/en/person/earyndin

Звание: доцент

Степень: Доктор технических наук

Образование и повышение квалификации:

  • высшее образование: Таганрогский радиотехнический институт имени В.Д. Калмыкова (01.09.1985 - 30.06.1992)
    Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры
    Инженер-конструктор-технолог ЭВА
  • послевузовское образование: Таганрогский государственный радиотехнический университет (01.09.1994 - 30.06.1997)
    05.27.05 "Интегральные радиоэлектронные устройства"
    Кандидат технических наук
  • повышение квалификации: Южный федеральный университет, Южный научный центр РАН (01.09.2004 - 30.06.2007)
    05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах"
    Доктор технических наук
  • повышение квалификации: Государственный институт новых форм обучения (ГИНФО), г. Москва (15.04.2011 - 26.04.2011)
    Межуниверситетская сетевая система междисциплинарной подготовки и переподготовки кадров для наноиндустрии по программе учебного курса "Лучевые и плазменные методы формирования наноструктур интегральной электроники" (Сертификат N М0077-2011, ГИНФО, 2011)
    Сертификат N М0077-2011, ГИНФО, 2011
  • повышение квалификации: НТК КЦСИиНТ РНЦ "Курчатовский институт", г. Москва (11.11.2008 - 21.11.2008)
    Физические основы методов изготовления структур микро- и наносистемной техники с использованием синхротонного излучения
  • повышение квалификации: Imagination University Community (01.10.2015 - 08.10.2015)
    MIPSfpga
  • повышение квалификации: ФГАОУ ВО "Южный федеральный университет" (27.11.2017 - 14.12.2017)
    Обучение по программе "Технологии онлайн-обучения в деятельности преподавателя", 72 часа
    Удостоверение о повышении квалификации 612405994787 от 14.12.2017
  • повышение квалификации: ФГАОУ ВО "Южный федеральный университет" ( - 25.06.2018)
    Обучение по программе "Информационные технологии в профессиональной деятельности", 72 часа
    Удостоверение о повышении квалификации 612407480455 от 25.06.2018
  • повышение квалификации: ФГАОУ ВО "Южный федеральный университет" (18.06.2018 - 30.06.2018)
    Обучение по программе "Оказание первой доврачебной помощи", 72 часа
    Удостоверение о повышении квалификации 612407480193 от 06.08.2018

Дата начала общего стажа: 01.09.1993

Стаж по специальности (в годах): 24

Преподаваемые дисциплины:

  • Физико-топологическое моделирование элементов микро- и наноэлектроники
    Цели изучения дисциплины: - изучение студентами теоретических сведений, необходимых для физико-топологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники; - приобретение студентами практических навыков, необходимых для разработки алгоритмов и программных средств физико-топологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники.
  • Методы решения задач математической физики
    Цель изучения дисциплины: изучение студентами теоретических сведений и приобретение практических навыков, необходимых для разработки алгоритмов и программных средств решения уравнений математической физики. Задачи: изучение теоретических основ численных методов решения задач математической физики; изучение методов конечных разностей и конечных элементов; изучение основ программирования в среде MATLAB/OCTAVE; создание собственного программного обеспечения для решения научных задач.
  • Численные методы математической физики
    Цели освоения дисциплины (модуля): 1) изучение студентами теоретических сведений о методах и средствах численного решения уравнений математической физики; 2) приобретение студентами практических навыков, необходимых для разработки алгоритмов и программных средств численного решения уравнений математической фи-зики. Задачи: 1) изучение основных уравнений математической физики; 2) изучение граничных и начальных условий в задачах математической физики; 3) изучение метода конечных разностей; 4) изучение метода конечных элементов; 5) изучение прямых и итерационных методов решения систем линейных алгебраи-ческих уравнений; 6) изучение методов решения систем нелинейных алгебраических уравнений; 7) изучение основ программирования в среде MATLAB/OCTAVE; 8) приобретение практических навыков создания собственного программного обеспечения для численного решения дифференциальных уравнений в частных произ-водных; 9) изучение классификации математических моделей элементов микро- и наноэлек-троники; 10) изучение фундаментальной системы уравнений полупроводника в диффузионно-дрейфовом приближении; 11) изучение граничных и начальных условий для фундаментальной системы урав-нений; 12) нормировка фундаментальной системы уравнений; 13) изучение базисов переменных, используемых в процессе численного решения фундаментальной системы уравнений; 14) изучение методов численного решения фундаментальной системы уравнений полупроводника в диффузионно-дрейфовом приближении; 15) изучение уравнения Шредингера; 16) изучение начальных и граничных условий для уравнения Шредингера; 17) нормировка уравнения Шредингера; 18) модельное исследование собственных значений энергии и волновых функций носителей заряда в наноструктурах; 19) изучение метода самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона; 20) численное решение нестационарного уравнения Шредингера.
  • Наноэлектроника
    Цель дисциплины состоит в изучении студентами сведений и приобретении практических навыков, необходимых для разработки и исследования наноразмерных интегральных элементов. Задачи изучения дисциплины В результате изучения дисциплины учащиеся должны: - знать принципы построения, конструкции, модели и методы моделирования сверхбыстродействующих гетеропереходных транзисторов, транзисторов с резонансным туннелированием, транзисторов на основе эффектов Штарка и Ааронова-Бома, одноэлектронных и спиновых транзисторов, элементов на переходах Джозефсона, принципы построения квантовых компьютеров, технологические операции, обеспечивающие нанометровые размеры интегральных элементов, методы проектирования интегральных устройств на основе наноструктур; - уметь проводить анализ и систематизацию информации, связанной с исследованием наноэлектронных приборов, строить физико-математические модели наноразмерных элементов, использовать подсистемы математического моделирования для решения задач наноэлектроники, анализировать результаты измерений, применять полученные знания, а также программное обеспечение со-временных САПР для решения задач проектирования приборов наноэлектроники.
  • Методы и программные средства численного моделирования элементов цифровых устройств
    Целью дисциплины является изучение студентами теоретических сведений, необходимых для физико-топологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники, приобретение практических навыков, необходимых для разработки алгоритмов и программных средств физико-топологического моделирования элементов микро- и наноэлектроники.
  • Методы математической физики в моделировании электронных средств
    Междисциплинарный проект
  • Методы проектирования наноразмерных элементов УБИС
    Целью дисциплины является изучение студентами современных технологий проектирования сложных функциональных блоков сверхбольших интегральных схем, приобретение практических навыков проектирования с использованием современных систем автоматизированного проектирования СБИС, изучение языка описания проектов VHDL.
  • Проектирование интегральных микросхем
    Содержание дисциплины включает сведения о конструкциях, методах проектирования и технологии изготовления современной элементной базы микроэлектронной аппаратуры: структуре, принципах функционирования, параметрах и характеристиках элементов микро- и наноэлектроники, полупроводниковых и гибридно-пленочных ИМС различного уровня интеграции, включая большие и сверхбольшие интегральные схемы (БИС и СБИС), большие гибридные интегральные схемы (БГИС), запоминающие устройства (ЗУ) и микропроцессоры (МП), элементы и устройства функциональной микро- и наноэлектроники; номенклатуре, условиях эксплуатации и особенностях применения унифицированных и специализированных ИМС. Цель дисциплины состоит в изучении студентами конструкций, методов проектирования, прогрессивных технологий изготовления ИМС, способов повышения качества, надежности и эффективности производства заказных ИМС; в привитии студентам навыков проектирования сложных функциональных блоков ИМС с использованием систем автоматизированного проектирования (САПР); в приобретении студентами знаний по технически грамотному использованию в электронной аппаратуре унифицированных ИМС.
  • Методы математического моделирования
    Цели освоения дисциплины (модуля): изучение студентами теоретических сведений о методах и средствах численного решения уравнений математической физики; приобретение студентами практических навыков, необходимых для разработки алгоритмов и программных средств численного решения уравнений математической физики. Задачи: изучение основных уравнений математической физики; изучение граничных и начальных условий в задачах математической физики; изучение метода конечных разностей; изучение метода конечных элементов; изучение прямых и итерационных методов решения систем линейных алгебраических уравнений; изучение методов решения систем нелинейных алгебраических уравнений; изучение основ программирования в среде MATLAB/OCTAVE; приобретение практических навыков создания собственного программного обеспечения для численного решения дифференциальных уравнений в частных производных; изучение классификации математических моделей элементов микро- и наноэлектроники; изучение фундаментальной системы уравнений полупроводника в диффузионно-дрейфовом приближении; изучение граничных и начальных условий для фундаментальной системы уравнений; нормировка фундаментальной системы уравнений; изучение базисов переменных, используемых в процессе численного решения фундаментальной системы уравнений; изучение методов численного решения фундаментальной системы уравнений полупроводника в диффузионно-дрейфовом приближении; изучение уравнения Шредингера; изучение начальных и граничных условий для уравнения Шредингера; нормировка уравнения Шредингера; модельное исследование собственных значений энергии и волновых функций носителей заряда в наноструктурах; изучение метода самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона; численное решение нестационарного уравнения Шредингера.
  • Микро- и наноэлектроника
    Предметом дисциплины являются конструкции интегральных микросхем (ИМС), структуры, принципы функционирования, параметры и характеристики элементов микро- и наноэлектроники, методы и программные средства проектирования ИМС, перспективные технологии изготовления ИМС. Содержание дисциплины включает сведения о конструкциях, методах проектирования и технологии изготовления современной элементной базы микроэлектронной аппаратуры: структуре, принципах функционирования, параметрах и характеристиках элементов микро- и наноэлектроники, полупроводниковых и гибридно-пленочных ИМС различного уровня интеграции, включая большие и сверхбольшие интегральные схемы (БИС и СБИС), большие гибридные интегральные схемы (БГИС), запоминающие устройства (ЗУ) и микропроцессоры (МП), элементы и устройства функциональной микро- и наноэлектроники; номенклатуре, условиях эксплуатации и особенностях применения унифицированных и специализированных ИМС. Цель дисциплины состоит в изучении студентами конструкций, методов проектирования, прогрессивных технологий изготовления ИМС, способов повышения качества, надежности и эффективности производства заказных ИМС; в привитии студентам навыков проектирования сложных функциональных блоков ИМС с использованием систем автоматизированного проектирования (САПР); в приобретении студентами знаний по технически грамотному использованию в электронной аппаратуре унифицированных ИМС.
  • Междисциплинарный проект "Математические методы в моделировании электронных средств"
    Цель выполнения междисциплинарного проекта: анализ структур и принципов функционирования элементов интегральной оптоэлектроники, разработка моделей, изучение теоретических основ и приобретение практического опыта численного моделирования переходных процессов в интегральных оптоэлектронных элементах на примере инжекционных лазерах с двойной гетероструктурой. Задачи: - изучение структуры и принципа функционирования инжекционного лазера с двойной гетероструктурой; - изучение уравнений кинетики инжекционных лазеров; - разработка дискретной модели инжекционных лазеров с двойной гетероструктурой с использованием метода конечных разностей; - разработка алгоритма и программных средств численного моделирования инжекционных лазеров с двойной гетероструктурой; - анализ результатов численного моделирования; - технико-экономическое обоснование проекта. Цели и задачи выполнения междисциплинарного проекта соответствует целям ООП ВПО в части совершенствования и развития интеллектуального, профессионального и общекультурного уровня обучаемых. В ходе обучения у студентов формируются навыки самостоятельного обучения основам построения элементной базы оптоэлектроники, методам численного моделирования, организации исследовательских и проектных работ, технико-экономического обоснования, общения с коллегами в научной и проектной сферах деятельности. Студенты приобретают умение решать научно-исследовательские задачи, осуществлять постановку задач реального проектирования.

Дополнительная информация:

Рындин Евгений Адальбертович, доктор технических наук, доцент, профессор кафедры конструирования электронных средств факультета электроники и приборостроения Южного федерального университета, г. Таганрог, заместитель директора Научно-образовательного центра "Нанотехнологии" Южного федерального университета и Южного научного центра РАН.

Родился 26 июня 1968 г. в г. Горловка Донецкой области.

В 1992 г. окончил с отличием Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова по специальности "Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры".

В 1994 г. поступил в очную аспирантуру при Таганрогском государственном радиотехническом университете.

В 1997 г. защитил кандидатскую диссертацию.

С 1997 г. по 1998 г. работал ассистентом кафедры конструирования электронных средств.

С 1998 г. ; доцент этой кафедры.

С 1998 г. по 2001 ; заместитель декана факультета электроники и приборостроения по научной работе.

В 1999 г. присвоено ученое звание доцента.

С 2004 г. ; ведущий научный сотрудник Южного научного центра РАН. Заместитель директора по научной работе Научно-образовательного центра "Нанотехнологии" Южного федерального университета и Южного научного центра РАН.

В 2007 г. ; защитил докторскую диссертацию.

С 2008 г. ; профессор кафедры конструирования электронных средств Южного федерального университета.

Сфера научных интересов: элементная база микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники, методы и средства моделирования элементов наноэлектроники, методы и средства автоматизированного проектирования СБИС, проектирование IP-ядер.

Обладает опытом работы в следующих областях:

  • элементная база наноэлектроники, микро- и наносистемной техники;
  • методы и средства численного моделирования элементов и приборов микро- и наноэлектроники;
  • проектирование субмикронных и наноразмерных библиотек элементов СБИС и УБИС;
  • проектирование микросистем высокой надежности и микросистем экстремальной электроники.

Реализованные проекты:

  • библиотеки субмикронных логических элементов СБИС с гибкой цоколевкой (3 патента РФ);
  • библиотека субмикронных элементов для проектирования статических ОЗУ;
  • библиотека субмикронных элементов для проектирования статических ОЗУ на основе SIMOX-пластин;
  • метод генерации блоков статического ОЗУ (победитель в конкурсе проектов фирмы Intel);
  • методы построения, конструкции и технологические маршруты изготовления сверхбыстродействующих интегральных транзисторных структур и интегральных логических элементов наноэлектроники и наносистемной техники (12 патентов РФ);
  • библиотека элементов с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в связанных квантовых областях для проектирования статических ОЗУ;
  • ПО численного моделирования микро- и наноструктур СБИС (в среде MATLAB);
  • ПО для синтеза и моделирования систем с резервированием (в среде MATLAB);
  • VHDL-проекты IP;ядер для систем обработки сигналов и изображений (функциональное ядро ВЧ/НЧ фильтрации изображений, функциональное ядро КИХ-фильтра и др.)

С 1994 г. ведет научную и педагогическую работу. Подготовил и ведет курсы лекций для студентов очной формы обучения по дисциплинам: "Элементы и приборы наноэлектроники", "Методы решения задач математической физики", "Моделирование элементов и приборов микро- и наноэлектроники" и др.

Публикации и патенты

Имеет 255 опубликованных научных и учебно-методических работ, в том числе 5 монографий, 112 научных статей (96 в журналах РИНЦ, 21 в журналах, индексируемых в базе данных SCOPUS, 18 в журналах, индексируемых в базе данных Web of Science), 20 патентов на изобретения Российской Федерации, 27 свидетельств о государственной регистрации программ для ЭВМ.

Награды и участие в конкурсах:

  1. Диплом и премия фирмы Intel (США) “За лучший проект в области автоматизации проектирования интегральных схем", 2003 г.;
  2. Диплом лауреата конкурса "Перспективные технологии для реального сектора экономики" в рамках II Международной выставки и конгресса "Перспективные технологии XXI века" за научно-техническую разработку "Элементная база наноэлектроники на основе связанных квантовых областей", 2008 г.;
  3. Медаль имени А.Нобеля "За вклад в развитие изобретательства", 05 марта 2015 г.;
  4. "Золотая" медаль ВДНХ участника 28 Московской международной книжной выставки, павильон N 75 ВДНХ, 06 сентября 2015 г.;
  5. "Диплом участника Парижского Международного книжного Салона" ("PARIS BOOK FAIR", 20-23 марта 2015 г., Париж, Франция);
  6. Диплом Южного федерального университета в номинации "Лидер в образовании", 2015 г.;
  7. Почетная грамота Южного федерального университета "За многолетний плодотворный труд в отрасли высшего образования", 2015 г.

Участие в экспертных советах:

- Член диссертационного совета Д212.208.23;

- Зарегистрирован в федеральном реестре экспертов научно-технической сферы (Свидетельство N 04-01858, ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ, Москва, 31.08.2015);

- Включен в состав Федерального УМО в системе высшего образования по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки 11.00.00 "Электроника, радиотехника и системы связи", 01.12.2015;

- Член Экспертного совета ЮФУ по направлению "Нанотехнология".

Учебно-методические ресурсы