Размер шрифта

A
A

Межстрочный интервал

A
A

Цвет

A
A

Житяев Игорь Леонидович

Кафедра радиотехнической элетроники - Ассистент

347922, Ростовская обл., г. Таганрог, ул. Шевченко 2, корпус Е

E-mail:
Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
Персональная страница:
https://sfedu.ru/person/izhityaev
Персональная страница на английском:
https://sfedu.ru/en/person/izhityaev

Образование и повышение квалификации:

  • повышение квалификации: Южный федеральный университет (14.11.2016 - 19.11.2016)
    Анализ и оценка объектов интеллектуальной собственности: экономические аспекты
    Удостоверение о повышении квалификации N 612404971298
  • высшее образование: Южный федеральный университет (01.09.2012 - 05.07.2014)
    Нанотехнологии и микросистемная техника
    Магистр, специальное звание Магистр-инженер
  • высшее образование: Южный федеральный университет (01.09.2008 - 30.06.2012)
    Нанотехнология
    Бакалавр
  • повышение квалификации: Федеральное государственное автономное научное учреждение "Научно-исследовательский институт "Специализированные вычислительные устройства защиты и автоматика"" (02.07.2018 - 13.07.2018)
    Методика проведения форсайт-сессии. Модерация групповой работы
    Удостоверение о повышении квалификации N 180001614450
  • высшее образование: Южный федеральный университет (15.09.2014 - 11.09.2018)
    Направление подготовки: 11.06.01 - Электроника, радиотехника и системы связи
    Исследователь. Преподаватель исследователь.
  • послевузовское образование: Южный федеральный университет ( - 30.05.2019)
    Наименование научной специальности: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах
    Кандидат технических наук

Дата начала общего стажа: 31.01.2009

Стаж по специальности (в годах): 10

Преподаваемые дисциплины:

  • Микро- и наноэлектроника
    Дисциплина направлена на изучение основ построения и методов проектирования, получение навыков проектирования и моделирования интегральных микросхем и приборов наноэлектроники.
  • Электротехника и электроника
    Дисциплина направлена на освоение и применение методов анализа и расчета электрических цепей.
  • Информационные технологии
    Дисциплина направлена на формирование информационной картины мира, основанной на понимании сущности и значения информации в развитии современного информационного общества и ознакомление с информационными технологиям, моделями, методами и средствами решения функциональных задач и организации информационных процессов.
  • Нелинейные процессы микроволновой, квантовой и оптоэлектроники
    Дисциплина направлена на освоение знаний физических процессов в микроволновых электронных и оптических приборах и теории их работы, необходимых для проектирования и применения этих приборов в устройствах различного назначения.
  • Квантовые и оптические приборы
    Дисциплина направлена на получение основных знаний, умений и навыков в вопросах применения квантовых и оптоэлектронных приборов для создания устройств приема и обработки сигналов оптического и радиоволнового диапазонов длин волн.
  • Информатика
    Дисциплина направлена на приобретение навыков использования персональных компьютеров для решения прикладных задач.

Дополнительная информация:

В 2008 году окончил школу с отличием.

В 2012 году с отличием окончил бакалавриат ЮФУ по направлению " Нанотехнология".

В 2014 году с отличием окончил магистратуру ЮФУ по направлению " Нанотехнологии и микросистемная техника".

Область научных интересов:

Нанотехнологии, наноматериалы, наноэлектроника, микро- и наносистемная техника, автоэмиссионная электроника, углеродные нанструктуры, лазерные технологии.

Опыт работы:

ООО "14-й Элемент", Аппаратчик по выращиванию монокристаллов и лент.

ООО "АВИАОК", Инженер-технолог.

НП "Южный лазерный инновационно-технологический центр", Инженер.

Инжиниринговый центр "Приборостроения, радио- и микроэлектроники" ЮФУ, Инженер по подготовке производства.

Инстититут нанотехнологий, электроники и приборостроения ЮФУ, Техник-проектировщик.

Инстититут нанотехнологий, электроники и приборостроения ЮФУ, младший научный сотрудник.

Основные научные публикации в журналах, индексируемых в базах данных Web of Science, Scopus и рекомендованных ВАК:

1. Konakova, R.V.,  Okhrimenko, O.B.,  Svetlichnyi, A.M.,  Ageev, O.A.,  Volkov, E.Y.,  Kolomiytsev, A.S.,  Jityaev, I.L.,  Spiridonov, O.B. Characterization of field-emission cathodes based on graphene films on SiC // Semiconductors, 2015, Vol. 49, iss. 9, P. 1242-1245.
DOI: 10.1134/S1063782615090146
https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782615090146

2. Светличный А.М., Спиридонов О.Б., Житяев И.Л., Волков Е.Ю., Демьяненко М.В. Моделирование распределения напряженности электрического поля в наноструктурах с катодом прямоугольного сечения на основе пленок графена на SiC  // Известия ЮФУ. Технические науки. 2015. N2. С. 225-236.
http://izv-tn.tti.sfedu.ru/wp-content/uploads/2015/2/22.pdf

3. Светличный А.М., Григорьев М.Н., Демьяненко М.В., Житяев И.Л. Исследование газочувствительности пленок графена на полуизолирующем 6H-SIC к NH3 и парам (CH3)2CH(OH) // Известия ЮФУ. Технические науки. 2015. N4. С. 88-95.
http://izv-tn.tti.sfedu.ru/wp-content/uploads/2015/4/9.pdf

4. Светличный А.М., Коломийцев А.С., Житяев И.Л., Спиридонов О.Б. Формирование элементов автоэмиссионной наноэлектроники на основе пленок графена на карбиде кремния методом фокусированных ионных пучков // Известия ЮФУ. Технические науки. 2015. N9.  С. 14-23.
http://izv-tn.tti.sfedu.ru/wp-content/uploads/2015/9/2.pdf

5. Volkov E.Yu., Jityaev I.L., Kolomiitsev A.S. Design features of matrix nanoscale pointed graphene/SiC field emission cathodes // IOP Conference Series: Materials science and engineering. 2015. Vol. 93. P. 012031.
DOI: 10.1088/1757-899X/93/1/012031
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1757-899X/93/1/012031/pdf

6. Konakova R.V., Okhrimenko O. B., Kolomys A. F., Strelchuk V. V., Svetlichnyi A. M., Ageev O. A., Volkov E. Yu., Kolomiitsev A. S., Zhityaev I.L., Spiridonov O. B. Field Emission Properties of Pointed Cathodes Based on Graphene Films on SiC // Journal of Superhard Materials. 2016. Vol. 38, No. 4. P. 235-240.
DOI: https://doi.org/10.3103/S1063457616040031
https://link.springer.com/article/10.3103/S1063457616040031

7. Jityaev I.L., Ageev O.A., Svetlichnyi A.M., Kolomiytsev A.S., Spiridonov O.B. Planar nanosized field emission cathodes on the basis of graphene/semi-insulating silicon carbide fabricated by focused ion beam // Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012011.
DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012011
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/741/1/012011/pdf

8. Jityaev I.L., Ageev O.A., Svetlichnyi A.M., Spiridonov O.B. Nanometer field emission structures on the basis of graphene on SiC with local change of the emitting surface // AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1772. P. 040010.
DOI: 10.1063/1.4964569
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4964569

9.  Avilov V.I., Ageev O.A., Jityaev I.L., Kolomiytsev A.S., Smirnov V.A. Investigation of memristor effect on the titanium nanowires fabricated by focused ion beam // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2016. V. 10224. P. 102240T.
DOI: 0.1117/12.2267084
https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/10224/1/Investigation-of-memristor-effect-on-the-titanium-nanowires-fabricated/10.1117/12.2267084.short?SSO=1

10. Svetlichnyi A.M., Jityaev I.L. Effect of the topology of a graphene/SiC nanotip emitter on the formation of rings in high electric fields // JETP Letters. 2017. V. 106. Iss. 9. P. 613-616.
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17210123
https://link.springer.com/article/10.1134/S0021364017210123

11.  Jityaev I.L., Svetlichnyi A.M., Kolomiytsev A.S., Volkov E.Yu., Polyakova V.V.,  Ageev O.A. Study of the field emission graphene/SiC nanostructures using scanning probe microscopy // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2017. Vol. 256. P. 012021.
DOI: 10.1088/1757-899X/256/1/012021
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1757-899X/256/1/012021/pdf

12. Jityaev I.L., Svetlichnyi  A.M., Kolomiytsev  A.S., Ageev O.A. Screening effect in matrix graphene / SiC planar field emmiters // Journal of Physics: Conference series. 2017. Vol. 929. P. 012059.
DOI: 10.1088/1742-6596/929/1/012059
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/929/1/012059/pdf

13. Jityaev I.L., Svetlichnyi A.M. Study of the electric field strength in planar multigraphene/SiC field emission nanostructures with different arrangement of the electrode planes // Journal of Physics: Conference series 2018. Vol. 1038. P. 012055.
DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012055
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/1038/1/012055/pdf

14. Jityaev I.L., Svetlichnyi  A.M., Avilov V.I., Kots I.N., Kolomiytsev  A.S., Ageev O.A. Influence of the FIB parameters on the etching of planar nanosized multigraphene/SiC field emitters // IOP Conference Series: Materials science and engineering. 2018. Vol. 443. P. 012012.
DOI: 10.1088/1757-899X/443/1/012012
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1757-899X/443/1/012012/pdf

15. Jityaev I.L., Svetlichnyi A.M. Optimization of a nanoscale field emission cell with a planar blade-shaped multilayer graphene/SiC emitter // Journal of vacuum science and technology B: Nanotechnology and microelectronics. 2019. Vol. 37, iss 1. P. 012201.
DOI: 10.1116/1.5051253
https://avs.scitation.org/doi/10.1116/1.5051253?af=R

16. Jityaev I.L., Svetlichnyi  A.M., Ageev O.A., Gusev E.Y. Nanoscale planar ring-shaped matrix field emitters based on multilayer graphene/SiC. 2019. Vol. 11022. P. 1102209.
DOI: 10.1117/12.2522434
https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/11022/2522434/Nanoscale-planar-ring-shaped-matrix-field-emitters-based-on-multilayer/10.1117/12.2522434.short

17. Jityaev I.L., Svetlichnyi A.M., Kolomiytsev A.S. Planar multigraphene/SiC blade-shaped field emission nanostructures // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. 2020. Vol. 734. P. 012017.
DOI: 10.1088/1757-899X/734/1/012017
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1757-899X/734/1/012017/pdf

Патенты:

1. Светличный А. М., Житяев И. Л., Коломийцев А. С., Светличная Л. А., Агеев О. А. Автоэмиссионный катод // Патент РФ на полезную модель N171829. Дата регистрации 19.07.2017.
http://www1.fips.ru/fips_servl/fips_servlet?DB=RUPM&rn=579&DocNumber=171829&TypeFile=html

2. Светличный А. М., Житяев И. Л., Федотов А. А. Автоэмиссионный пленочный диод // Патент РФ на полезную модель N181863. Дата регистрации 26.07.2018.
http://www1.fips.ru/fips_servl/fips_servlet?DB=RUPM&rn=3272&DocNumber=181863&TypeFile=html

Наукометрические показатели:

Scopus author ID: 56818978700

Web of Science Researcher ID: http://www.researcherid.com/rid/G-3503-2016

ORCID: http://orcid.org/0000-0001-9915-025X

РИНЦ AuthorID: 799399

РИНЦ SPIN: 2442-4181

Номер карты науки РФ:00062081